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日本napson非接触式涡流法电阻测量仪EC-80

访问次数:919

更新日期:2024-03-17

简要描述:

日本napson非接触式涡流法电阻测量仪EC-80
简单的测量仪器,只需将样品插入探针之间即可进行测量
在电阻/薄层电阻测量模式之间轻松切换

日本napson非接触式涡流法电阻测量仪EC-80

日本napson非接触式涡流法电阻测量仪EC-80

 

产品特点

  • 简单的测量仪器,只需将样品插入探针之间即可进行测量
  • 在电阻/薄层电阻测量模式之间轻松切换
  • 使用JOG拨盘轻松设置测量条件
  • *由于探头是固定的,因此您可以在购买前从几种类型的探头中选择一种。

测量规格

测量目标

半导体/太阳能电池材料相关(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相关(碳纳米管,DLC,石墨烯,银纳米线等)
导电薄膜相关(金属,ITO等)
硅基外延,离子与
半导体相关的进样样品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*请与我们联xi)

测量尺寸

〜8英寸,或〜156x156mm

日本napson非接触式涡流法电阻测量仪EC-80

测量范围

[电阻] 1m至200Ω·cm
(*所有探头类型的总范围/厚度500um)
[抗页电阻] 10m至3kΩ / sq
(*所有探头类型的总范围)

*有关每种探头类型的测量范围,请参阅以下内容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-​​cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)

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