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日本Japan Sensor薄膜辐射温度计

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更新日期:2021-03-31

简要描述:

日本Japan Sensor薄膜辐射温度计TMHX-CFE0350(E)系列
胶片辐射温度计TMHX-CFE0350(E)系列是专门用于胶片的辐射温度计。测量波长主要适合于聚烯烃膜的温度测量。

日本Japan Sensor薄膜辐射温度计
类型其他测量范围1

日本Japan Sensor薄膜辐射温度计TMHX-CFE0350(E)系列

 

胶片辐射温度计TMHX-CFE0350(E)系列是专门用于胶片的辐射温度计。测量波长主要适合于聚烯烃膜的温度测量。

 

用于测量基于聚烯烃的薄膜(PP,PE等)

 

专门用于胶片的辐射温度计。测量波长主要适合于聚烯烃膜的温度测量。

 

 

 

〜TMHX-C系列的共同特征〜
◆性能和稳定性大大提高◆易于对准测量部件◆任何安装环境◆
各种各样的指示器和设置装置◆降低成本◆使用寿命长◆符合CE标记的产品

 

模型温度范围有效波长实测距离目标尺寸反应速度
TMHX-CFE0350-0200E01280-350℃3.4微米200毫米φ12毫米0.05秒〜

 

产品特点

  • 专为基于聚烯烃的薄膜(PP,PE等)的温度测量而开发

    塑料薄膜是一种选择性辐射体,其透射和吸收(辐射)在特定波长下会发生显着变化。由于在具有高透射率的波长处发射率低,因此不能很好地执行温度测量。

    因此,有必要在吸收(辐射)大的波长=吸收波长带中进行测量。
    TMHX-CFE0350(E)系列使用3.4μm聚烯烃薄膜的吸收波段作为测量波长,以实现高精度的温度测量。

    (聚烯烃膜=氯乙烯,聚乙烯,聚丙烯,聚苯乙烯等)

  • 通过采用InSb(锑化铟)元素,可以大大提高性能和稳定性。

    传统的热电堆元件将红外线转换成热量,然后将其转换成电信号,因此缩短响应时间是有限制的,但是TMHX系列使用InSb(锑化铟)元件直接转换红外线,直接转换为信号。 。在室温测量中,实现了世界上z快的响应时间,并且显着缩短了测量时间。

    通过采用InSb(锑化铟)元素,可以大大提高性能和稳定性。

    它还具有显着提高的稳定性。由于InSb(锑化铟)元素使用2至6.8μm之间的短波长,因此在测量金属(铁,SUS,铬等)的温度时,可以预期其发射率设定值几乎是以前的两倍。 ,可以期待进一步的稳定性。

日本Japan Sensor薄膜辐射温度计TMHX-CFE0350(E)系列 

模型TMHX-CFE0350-0200E012
温度范围80℃〜350℃
有效波长3.4微米
检测元件铟锑
标准测量距离200mm
*可以在其他距离使用。请参考光路图。
标准目标尺寸φ12毫米
目的LED瞄准
准确率评估±4℃
重现性±1℃
测量分辨率小于120℃;小于等于1℃,大于等于120℃;小于等于0.5℃
响应时间(随平滑功能而变化)0.05-5s(0-95%模拟输出)
热身时间1分钟
模拟量输出(非绝缘)输出类型(开关)DC4〜20mA,DC0〜20mA,mV /℃,DC0〜1V(可选0〜5V,0〜10V可用)
RS232C输出(符合RS232C,非绝缘)输出摆幅:大约±4V,通讯速度:4800,9600,19200,38400,57600,115200 bps
报警输出(非绝缘)开漏:DC27V,0.2A
峰值保持复位方法(选择)[1]时间:0.01到10s变量[2]放电:时间0.01到10s,级别0.2到1.0
发射率校正保证范围0.3到1.0
设置范围0.050到1.000(设置分辨率0.001)带有
反射校正功能
传感器校正功能跨度; 0.500至2.000
零; -50至+ 50°C(°F)
使用的环境温度和湿度0至50°C(存储环境温度:-15至70°C)/ 30至85%RH(无冷凝)
电源电压DC4.7至27V,z大0.1A
模拟输出0至5V; 8至27V / 0至10V ; 13至27V
电缆长度(标准)2m
方面HX-C1
 

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