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日本napson非接触涡流法薄层电阻测量装置

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更新日期:2022-07-18

简要描述:

日本napson非接触涡流法薄层电阻测量装置NC-10(NC-20)
可通过个人计算机轻松操作的非接触(涡流法)电阻/薄层电阻测量装置

日本napson非接触涡流法薄层电阻测量装置

日本napson非接触涡流法薄层电阻测量装置NC-10(NC-20)

产品特点

  • 使用个人计算机节省空间,易于操作和数据处理
  • 由于它是一种非接触式涡流方法,因此可以进行测量而不会损坏它。
  • 由于探头是可拆卸和可更换的,因此可以方便地用每个量程的探头进行替换。
  • (*对第二个和后续电阻探头的可选支持)
  • 中心1点测量
  • 厚度/温度补偿功能(硅晶片)

测量规格

测量目标

半导体/太阳能电池材料相关(硅,多晶硅,SiC等)
 新材料/功能材料相关(碳纳米管,DLC,石墨烯,银纳米线等)
 导电薄膜相关(金属,ITO等)
 硅基外延,离子与
 半导体相关的进样样品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
 其他(*请与我们联xi)

测量尺寸

3-8英寸〜156 x 156毫米
(可选; 2英寸或12英寸〜210 x 210毫米)

日本napson非接触涡流法薄层电阻测量装置NC-10(NC-20)

测量范围

[电阻] 1m至200Ω·cm
(*所有探头类型的总范围/厚度500um)
[板电阻] 10m至3kΩ / sq
(*所有探头类型的总范围)

*有关每种探头类型的测量范围,请参阅以下内容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-​​cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)

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