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日本napson非接触型超低电阻范围的电阻测量

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更新日期:2022-07-18

简要描述:

日本napson非接触型超低电阻范围的电阻测量PVE-80
非接触型(脉冲电压激励法)超低电阻范围的电阻测量系统
由于是使用脉冲电压激励法作为测量原理的非接触电阻测量系统,因此可以在不损坏样品的情况下进行测量。

日本napson非接触型超低电阻范围的电阻测量

日本napson非接触型超低电阻范围的电阻测量PVE-80

产品特点

  • 由于是使用脉冲电压激励法作为测量原理的非接触电阻测量系统,因此可以在不损坏样品的情况下进行测量。

  • 节省空间的设计主体外壳,便携式可移动平台

  • 通过PC(软件)进行简单的测量操作,数据存储和管理

  • 测量显示单元可以根据应用(薄层电阻,电导率,电导率)进行更改

    *本产品使用由我公司与千叶大学联合开发的脉冲电压激励方法(专li号5386394)。

测量规格

测量目标

与新材料/功能材料相关(碳纳米管,DLC,石墨烯,银纳米线等)与
导电薄膜相关(金属,ITO等)
与化合物半导体相关(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*查询)请给我)

测量尺寸

〜A4尺寸(W300 x D210mm)

测量范围

50μ〜1mΩ/平方

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