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日本napson非接触涡流法薄层电阻检测

访问次数:743

更新日期:2022-07-18

简要描述:

日本napson非接触涡流法薄层电阻检测NC-80MAP
使用多种类型的非接触式探头的电阻测量仪器,范围广泛
(要安装的探头数量和探头类型可根据要求更改)

日本napson非接触涡流法薄层电阻检测

日本napson非接触涡流法薄层电阻检测NC-80MAP

产品特点

  • 使用多种类型的非接触式探头的电阻测量仪器,范围广泛
    (要安装的探头数量和探头类型可根据要求更改)
  • 从8 mm的边缘可以进行多点测量
  • 由于它是一种非接触式涡流方法,因此可以进行测量而不会损坏它。
  • 可编程测量模式和2-D / 3-D映射软件
  • *选项:安装了额外的晶圆厚度测量探针

日本napson非接触涡流法薄层电阻检测NC-80MAP

测量规格

测量目标

半导体/太阳能电池材料相关(硅,多晶硅,SiC等)
 新材料/功能材料相关(碳纳米管,DLC,石墨烯,银纳米线等)
 导电薄膜相关(金属,ITO等)
 硅基外延,离子与
 半导体相关的进样样品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
 其他(*请与我们联xi)

测量尺寸

2-8英寸
(可选; 12英寸)

测量范围

[电阻] 1m至200Ω・ cm
(*所有探头类型的总量程/厚度500um)
[抗剪强度] 10m至3kΩ / sq
(*所有探头类型的总量程)

*有关每种探头类型的测量范围,请参阅以下内容。

(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-​​cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)

 

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