日本shinkuu磁控离子溅射仪MSP-1S产品介绍

发布日期：2025-11-10      浏览次数：13

日本shinkuu磁控离子溅射仪MSP-1S是一款专为精密薄膜制备设计的高性能实验级设备，凭借日本shinkuu在真空镀膜领域多年的技术积淀，该设备融合了先进的磁控溅射技术与人性化的操作设计，能够为材料科学、电子工程、光学工程等领域的科研及小规模生产提供稳定、高效的薄膜沉积解决方案，广泛应用于高校实验室、科研机构及高中端制造企业的研发环节。

一、核心技术原理

MSP-1S基于磁控离子溅射技术原理，通过在真空腔体内建立正交的磁场与电场，使氩气等工作气体在电场作用下电离产生等离子体。等离子体中的正离子在电场加速下高速轰击靶材表面，通过动量转移使靶材原子或分子脱离靶材表面并沉积在基底上，形成均匀、致密的薄膜。相较于传统溅射技术，其独特的磁控结构可有效约束电子运动轨迹，延长电子与气体分子的碰撞概率，显著提高等离子体密度，进而提升溅射速率与薄膜质量，同时降低基底温度升高带来的材料损伤风险。

二、关键性能参数

MSP-1S的性能参数经过精准调校，确保了设备的稳定性与适用性，核心参数如下：

1. 真空系统：采用高效复合真空抽气系统，包括机械泵与分子泵（或扩散泵），可快速实现真空腔体内真空度达到5×10⁻⁴ Pa以下的高真空环境，有效减少气体杂质对薄膜沉积的影响，保障薄膜纯度。

2. 靶材配置：支持多种靶材类型，包括金属（如金、银、铜、铝、钛等）、合金（如不锈钢、钛合金等）及部分陶瓷靶材，靶材尺寸适配φ50mm×3mm等常规规格，可根据实验需求快速更换靶材，满足不同薄膜材料的制备需求。

3. 溅射功率：采用直流溅射电源，功率调节范围为0-100W，支持连续可调，可根据靶材特性及薄膜厚度要求精准控制溅射速率，实现从纳米级到微米级不同厚度薄膜的精确制备。

4. 基底台设计：配备可旋转基底台，旋转速度0-10rpm可调，确保基底各区域薄膜沉积均匀性；基底台支持室温至300℃加热功能（可选配），可满足不同材料沉积过程中对基底温度的特定要求，提升薄膜与基底的结合力。

5. 腔体规格：真空腔体有效容积约3L，结构紧凑，便于维护与清洁；腔体内配备观察窗，可实时观察溅射过程，方便实验人员监控实验进度。

6. 控制方式：采用PLC控制系统，搭配7英寸触控操作屏，界面简洁直观，可实现真空抽气、溅射功率调节、基底旋转及加热等参数的一键式设置与实时监控，同时支持实验参数存储与调用功能，便于重复实验。

三、主要应用领域

MSP-1S凭借其灵活的配置与稳定的性能，在多个领域展现出广泛的应用价值，核心应用场景包括：

1. 材料科学研究：用于制备金属薄膜、合金薄膜、陶瓷薄膜等，研究薄膜的结构、成分与力学、电学、磁学等性能之间的关系，为新型材料研发提供基础实验支持。

2. 电子器件制备：可用于制备电子器件中的电极薄膜、导电薄膜及绝缘薄膜，如半导体芯片中的金属电极、柔性电子器件中的透明导电薄膜等，满足电子器件微型化、高精度的制备要求。

3. 光学薄膜制备：用于制备增透膜、反射膜、滤光膜等光学薄膜，应用于光学镜头、显示器、太阳能电池等光学器件，提升器件的光学性能。

4. 生物医学领域：在医用材料表面沉积抗菌薄膜、生物相容性薄膜等，改善医用材料的表面性能，提升其生物安全性与使用寿命，如人工关节表面涂层、医用导管表面改性等。

5. 样品表征辅助：为扫描电子显微镜（SEM）、X射线光电子能谱（XPS）等表征设备制备样品导电层，解决非导电样品在表征过程中的电荷积累问题，提升表征结果的准确性。

四、产品核心优势

1. 高薄膜质量：先进的磁控溅射技术与高真空系统结合，确保制备的薄膜具有均匀性好、致密性高、纯度高的特点，满足高精度实验与研发需求。

2. 操作便捷性：触控屏操作与PLC控制系统简化了实验流程，即使是新手操作人员也能快速上手，同时参数存储功能提升了实验的可重复性。

3. 灵活适配性：支持多种靶材与基底类型，可搭配加热、旋转等可选功能，能够根据不同实验需求进行灵活配置，适配多场景应用。

4. 紧凑耐用：设备结构紧凑，占用空间小，适合实验室有限空间布局；核心部件采用高品质材料与精密加工工艺，使用寿命长，维护成本低。

5. 安全可靠：配备真空度异常报警、过温保护、过流保护等多重安全保护机制，确保实验过程的安全性与设备的稳定运行。

五、总结

日本shinkuu磁控离子溅射仪MSP-1S以其精准的控制能力、稳定的性能表现与广泛的适配性，成为科研领域薄膜制备的理想设备。无论是基础材料研究还是高中端器件研发，MSP-1S都能凭借其核心技术优势，为用户提供高效、可靠的薄膜沉积解决方案，助力科研人员突破技术瓶颈，推动相关领域的技术创新与发展。