日本shinkuu磁控离子溅射仪MSP-1S产品分析

发布日期：2025-11-18      浏览次数：6

日本shinkuu磁控离子溅射仪MSP-1S是一款专为精密薄膜制备场景设计的高性能实验室级设备，凭借其稳定的溅射工艺、紧凑的结构设计以及广泛的适用性，在材料科学、电子工程、光学器件等领域备受科研机构与企业用户的青睐。该设备以磁控溅射技术为核心，通过精准控制离子轰击靶材并实现靶材原子的沉积，为用户提供高质量、可重复的薄膜制备解决方案。
一、核心技术与工作原理
MSP-1S采用先进的磁控溅射技术，其核心工作原理是在真空腔体内，通过射频（RF）或直流（DC）电源激发惰性气体（通常为氩气）形成等离子体。设备内置的高磁场系统会对等离子体中的电子进行约束，延长电子与气体分子的碰撞路径，从而提高等离子体的电离效率。高能离子在电场作用下加速轰击靶材表面，使靶材原子获得足够能量脱离表面并沉积在衬底上，最终形成均匀、致密的薄膜。
相较于传统溅射技术，MSP-1S的磁控系统大幅降低了电子对衬底的轰击损伤，同时提高了溅射速率与薄膜纯度，尤其适用于对衬底温度敏感或对薄膜质量要求高的制备场景。
二、关键性能参数
MSP-1S的性能参数经过精心优化，兼顾了制备效率与薄膜质量，核心参数如下：
1. 真空系统：采用复合真空抽气机组，包括机械泵与分子泵（或扩散泵），可快速将真空腔体内真空度抽至5×10⁻⁴ Pa以下的高真空状态，有效减少气体杂质对薄膜沉积的影响，保障薄膜纯度。

2. 溅射电源：支持直流（DC）和射频（RF）两种溅射模式，直流模式输出功率范围为0-300W，射频模式输出功率范围为0-150W，可根据靶材类型（导体、半导体、绝缘体）灵活切换，适配金、银、铜、铝、氧化硅、氮化硅等多种靶材。

3. 靶材与衬底：标配1-2个靶位，靶材尺寸支持Φ50mm×3mm等常规规格，可兼容多种材质靶材；衬底台支持Φ76mm以下衬底，部分型号可选配衬底加热功能（室温-300℃可调）或旋转功能，进一步提升薄膜均匀性。

4. 薄膜性能：制备的薄膜均匀性误差可控制在±5%以内（Φ50mm衬底范围内），薄膜厚度可通过溅射时间、功率等参数精准调控，厚度重复性误差≤3%，满足精密实验与小批量生产对薄膜一致性的要求。

5. 控制系统：采用集成化触控操作面板，可直观设置真空度、溅射功率、溅射时间、气体流量等关键参数，配备参数记忆功能，支持常用工艺配方的存储与调用，简化操作流程。
三、适用应用领域
基于其灵活的工艺调节能力与稳定的制备性能，MSP-1S广泛应用于多个领域的薄膜制备需求，主要包括：
1. 材料科学研究：用于制备金属、半导体、陶瓷等多种材质的薄膜，开展薄膜结构、力学性能、电学性能等基础研究，为新型材料开发提供支撑。

2. 电子器件制备：可制备电极薄膜、绝缘层薄膜等，应用于微型传感器、薄膜电阻、电容器等电子元件的研发与小批量生产。

3. 光学领域：用于制备增透膜、反射膜、滤光膜等光学薄膜，适配光学镜片、光纤器件、显示面板等产品的研发需求。

4. 生物医学领域：在医用材料表面改性中应用广泛，通过沉积生物相容性薄膜（如钛膜、羟基磷灰石膜），提升医用植入器件的生物相容性与耐磨性。

5. 教学与实训：其紧凑的结构与便捷的操作的特点，使其成为高等院校材料、电子等专业的实验教学设备，用于演示磁控溅射原理与薄膜制备流程。
四、产品核心优势
1. 高稳定性与重复性：采用高精度真空控制模块与电源调节系统，确保工艺参数的精准控制，多次制备的薄膜性能一致性优异，减少实验误差。

2. 紧凑设计，节省空间：设备整体体积小巧（约W600×D800×H1200mm），无需大面积安装空间，适配实验室有限的布局需求，同时便于设备的移动与维护。

3. 多靶兼容，灵活适配：支持多靶位配置与多种溅射模式切换，可满足不同材质靶材的溅射需求，降低用户更换实验方案的成本。

4. 操作便捷，易于上手：集成化触控界面与工艺配方存储功能，简化了复杂参数的设置流程，即使是新手用户也能快速掌握设备操作。

5. 可靠的安全保障：配备真空异常报警、过流保护、高温防护等多重安全装置，当设备出现真空泄漏、电源过载等异常情况时，会自动触发保护机制，保障操作人员与设备安全。
五、总结
日本shinkuu磁控离子溅射仪MSP-1S以“高精度、高稳定、高灵活"为核心特点，通过成熟的磁控溅射技术与人性化的设计，为科研与小批量生产场景提供了高效的薄膜制备解决方案。无论是基础材料研究、电子器件研发，还是光学薄膜制备，MSP-1S都能凭借其优异的性能满足用户的多样化需求，是实验室薄膜制备设备的理想选择。