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在半导体制造中，晶圆内部的微裂纹、空洞、晶格缺陷，是导致芯片失效的“隐形杀手"。
传统可见光检测，面对不透明的硅材料束手无策——看得见表面，却看不穿内部。结果往往是：缺陷晶圆流入后续工序，造成封装良率暴跌；或者更糟——问题芯片流向客户，引发批量投诉、巨额索赔，甚至品牌信誉崩塌。
某8英寸晶圆厂曾为此付出惨痛代价：切割返工率高达15%，年损失超400万元。
如何让晶圆内部的缺陷“无处可藏"？
答案，就在NPI PIS-UHX-AIR近红外卤素光源装置。
PIS-UHX-AIR是日本光子学研究所（NPI）专为近红外至短波红外波段设计的高功率卤素光源系统。其核心技术原理并不复杂，却直击行业痛点：利用近红外光对硅材料的穿透性，实现晶圆内部缺陷的非破坏性成像。
| 项目 | 规格参数 | 技术优势 |
|---|---|---|
| 光源功率 | 150W 卤素灯 | 高光强确保穿透厚层材料 |
| 波长范围 | 400 ~ 1700 nm | 覆盖可见光至短波红外，完1美匹配硅材料穿透窗口 |
| 峰值波长 | 1000 nm | 专为深层穿透设计 |
| 调光方式 | 电压可变式（2-15V） | 精确控制光强与穿透深度 |
| 稳定性 | 直流驱动，电压稳定度±0.1% | 最1大限度减少闪烁，保证图像一致性 |
| 冷却方式 | 强制风扇冷却 | 低噪音，支持24/7连续作业 |
最关键的参数是波长：硅材料在1000-1700nm波段具有极1高的透过率。PIS-UHX-AIR将峰值锁定在1000nm，意味着光线可以“穿透"晶圆表层，直达内部结构，将隐藏的微裂纹、空洞、杂质一一“照亮"。
技术参数再漂亮，不如实战数据有说服力。
某8英寸晶圆厂在引入PIS-UHX-AIR系统前，依靠传统可见光检测，晶圆内部隐裂漏检率居高不下。切割后，大量存在内部缺陷的芯片进入封装工序，导致封装良率严重受损，返工率高达15%。
引入PIS-UHX-AIR配合InGaAs相机后，检测系统能够清晰识别<5μm的微裂纹和空洞。结果令人振奋：
切割返工率从15%骤降至0.5%
年节省成本超过400万元
检测效率提升约40%
金线虚焊、断线是封装环节的常见难题。传统X射线检测设备虽然能发现问题，但设备昂贵、检测速度慢、存在辐射风险。
某QFP封装厂改用PIS-UHX-AIR近红外光源系统后，利用近红外光对透明环氧树脂的穿透性，实现了金线焊接质量的快速、无损检测：
金线虚焊检出率高达99.3%
单颗芯片检测时间从5分钟缩短至30秒
客户投诉率从8%降至0.3%
在3D FinFET结构、TSV（硅通孔）填充缺陷检测中，PIS-UHX-AIR通过选择1300nm和1450nm波长，实现了对不同深度、不同类型缺陷的精准识别：
缺陷漏检率降低70%以上
检测时间缩短约40%
虽然半导体检测是PIS-UHX-AIR的主战场，但其应用边界远不止于此。
异物混入检查：透视酱油、果汁等深色液体中的玻璃渣、塑料碎片
内部品质分析：无损检测苹果内部水心、区分盐和糖、验证水油分离状态
深层组织成像：小鼠脑部成像、肿瘤模型研究
近红外光谱分析：物质成分分析、药品纯度验证
艺术品修复痕迹鉴定：穿透表层颜料，观察底层修复痕迹
气体检测：甲烷等特定气体的吸收峰分析
要让PIS-UHX-AIR发挥最1大效能，系统集成时需注意三个关键点：
AIR型号波长延伸至1700nm，不可使用普通玻璃光纤（其在1400nm附近有吸收带）。必须选用石英基材的耐热光纤（如NPI推荐的PLG系列），以确保传输效率。
为实现最1佳成像效果，通常需要配合InGaAs（铟镓砷）相机使用。此类相机对短波红外（SWIR）波段敏感，能够捕捉到穿透后的清晰图像。
设备标配滤光片简易拆装机构，可根据检测对象快速切换850-1650nm范围内的不同波长，实现“精准匹配"。
适用灯管型号为PLL-15010H-AL（15V150W），额定寿命约1000小时，属于定期更换耗材。
在半导体制造工艺不断微缩、先1进封装日益复杂的今天，传统的可见光检测已经无法满足质量管控的需求。
PIS-UHX-AIR的出现，为行业提供了一双“透视眼"——让晶圆内部的隐裂、TSV填充缺陷、金线虚焊，都无处可藏。
如果您正在为晶圆内部缺陷漏检问题头疼，如果您的封装良率遭遇瓶颈，如果您的检测效率亟待提升——
不妨让PIS-UHX-AIR，为您照亮“看不见"的真相。
