外周区:大粒径、高密度杂质(硅屑、研磨垫碎屑)被甩向筒壁,沿壁面下降,从底流口(Bottom) 排出(集中废弃);
中心区:亚微米级良品砥粒(氧化铈 / 二氧化硅)随中心上升流,从顶流口(Top) 或中流口(Middle) 回收(循环复用)。
粗粒(>5μm 硅屑 / 碎屑):底流排出,集中废弃;
中粒(2~5μm 混合颗粒):中流回流再分级,进一步提纯良品砥粒;
细粒(0.5~2μm 良品砥粒):顶流回收,直接调配后复用。
旋流核心元件:高纯度氧化铝陶瓷(耐磨、无金属溶出、耐化学腐蚀);
外壳 / 结构件:SUS304 不锈钢 / 强化尼龙(适配抛光液酸碱环境,耐腐蚀、抗老化)。
大流量 + 低压节能:单台流量覆盖 4~110L/min,工作压力仅 0.3~0.6MPa,配套泵功率小,能耗比传统膜分离低 30% 以上,契合晶圆厂绿色生产标准;
模块化并联,灵活扩容:采用 “单芯模块 + 多联并联" 设计,TR/T 系列可 1~30 台并联,流量从 10L/min 到 300L/min 灵活匹配,适配 8 英寸 / 12 英寸不同产能晶圆线,小试→量产无缝衔接;
结构极简,免维护长周期运行:无滤网、无传动部件、低堵塞设计,故障发生率极低,日常仅需定期检查压力与流量,维护成本几乎为零,避免频繁停机影响产线节奏。
二级分级(T 系列):适配粗颗粒占比高、仅需简单除杂的抛光液回收,成本更低;
三级分级(TR 系列):适配亚微米级、高附加值的氧化铈抛光液,追求高精度回收;
材质 / 规格定制:可根据抛光液 pH 值、浓度、处理流量,定制旋流元件材质、并联台数、罐体容积,匹配不同工况需求。
核心参数:D50=1.7μm(全系列最小),单台流量 4L/min,工作压力 0.6MPa;
适配场景:氧化铈抛光液、超精细 CMP 工艺(如先进制程逻辑芯片、存储芯片),需去除亚微米级杂质、高回收率良品砥粒;
核心价值:离心力最1强,可稳定分离 0.5~5μm 颗粒,中流回流设计进一步提升回收率,无金属污染,保障高1端晶圆良率。
核心参数:D50=3.1μm,单台流量 12L/min,工作压力 0.6MPa;
适配场景:常规硅溶胶抛光液、中高1端 CMP 工艺(如 8 英寸晶圆、普通逻辑芯片),兼顾回收精度与处理流量;
核心价值:适用范围广,陶瓷 / 尼龙材质可选,成本适中,可匹配中高流量回收线,良品回收率稳定在 60% 以上。
核心参数:D50=10.4μm,单台流量 110L/min,工作压力 0.3MPa;
适配场景:大流量、偏粗研磨液、成本优先的晶圆线(如低端晶圆、研磨工序);
核心价值:系列处理量最大,MC 尼龙材质成本低,性能接近高1端机型,适配大流量连续回收场景。
核心参数:T-10(D50=5.1μm,10L/min)、T-80(D50=10.9μm,60~120L/min);
适配场景:仅需粗 / 细两分、去除大颗粒杂质的抛光液回收,无需中粒回用,追求低成本;
核心价值:结构简单、价格亲民、运维便捷,适合中小晶圆厂或预算有限场景。
日本某 12 英寸晶圆厂:采用 TR-5 型三级分级系统,氧化铈抛光液回收率达 75%,新液采购量减少 60%,年节省成本超 200 万元,废液排放量降低 50%,通过环保认证;
国内某 8 英寸晶圆厂:采用 TR-10 型并联系统,硅溶胶抛光液回收率达 65%,回收液直接复用,晶圆良率稳定在 99.5% 以上,无金属污染问题murata-kogyo.co.jp。
✅ 降本:良品砥粒回收率 50%~80%,大幅减少新液采购与废液处理成本;
✅ 提质:无金属污染、分级精度稳定,保障晶圆良率与表面质量;
✅ 绿色:废液排放量减半,降低碳排放,契合半导体行业低碳化发展趋势murata-kogyo.co.jp。