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稳定 5μm 超细雾化：专1利外混合涡流结构，液滴粒径均匀、CV 值优异，可深入 3D NAND、FinFET 等高深宽比结构，实现无1死角清洗；
高洁净无残留：全系列采用 SUS316L / 陶瓷 / PTFE 等高洁净材质，无金属析出、无颗粒污染，适配 SC1/SC2、去离子水、光刻胶剥离液等半导体专用介质；
防堵低耗：大流道设计，适配低粘度、低固含清洗液，长期运行无堵塞、无滴漏，大幅降低停机维护频率；
微型化易集成：体积小巧，适配晶圆清洗机、湿法台、光刻显影设备等精密设备的紧凑安装空间。
雾化粒径：≈5μm（稳定）
流量范围：0.1–1 L/h（超微量）
工作压力：2–5 bar（低压适配）
喷雾角度：30°–60°（窄角精准覆盖）
适配介质：去离子水、光刻胶、微量清洗剂、低粘度剥离液
7nm 及以下先1进制程晶圆预清洗、光刻前超精密清洗；
3D NAND、FinFET 高深宽比结构的微观清洗，解决传统清洗的 “阴影效应"；
微型芯片、MEMS 器件、晶圆边缘（Edge）的精准清洗；
实验室 / 研发线的微量清洗、工艺验证。
雾化粒径：≈5μm（稳定）
流量范围：1–3 L/h（微量量产）
工作压力：2–5 bar
喷雾角度：45°–70°（中等覆盖）
适配介质：去离子水、SC1/SC2 清洗液、IPA、低粘度蚀刻液
晶圆批量预清洗、光刻后显影清洗、刻蚀后残留物清洗；
28nm–14nm 制程的常规湿法清洗、晶圆表面颗粒去除；
多工位清洗机、批量式湿法台的主力喷嘴；
半导体封装前的晶圆 / 芯片表面清洁。
雾化粒径：≈5μm（稳定）
流量范围：3–8 L/h（中流量）
工作压力：2–6 bar
喷雾角度：60°–80°（宽角覆盖）
适配介质：去离子水、高流量清洗剂、批量式清洗液
大尺寸晶圆（300mm/450mm）的全表面均匀清洗；
批量式晶圆清洗、湿法台大面积覆盖；
光刻胶剥离、氧化层去除等需要高流量的清洗工序；
半导体设备腔体、托盘的在线清洗（CIP）。
雾化粒径：≈5μm（稳定）
流量范围：8–15 L/h（中高流量）
工作压力：3–6 bar
喷雾角度：70°–90°（广角覆盖）
适配介质：去离子水、批量清洗剂、高流量剥离液
超高产能量产线的晶圆批量清洗；
大尺寸晶圆（450mm）的全表面快速清洗；
半导体设备的大面积腔体、载具清洗；
刻蚀后、沉积后的高流量清洗工序。
| 清洗工序 | 核心需求 | 推荐型号 | 关键优势 | 工艺效果 |
|---|---|---|---|---|
| 晶圆预清洗 | 超微量、无1死角、高洁净 | AM6 | 5μm 超细雾化，深入微观结构 | 颗粒去除率≥95%，缺陷密度降低 30%+ |
| 光刻前清洗 | 微量、均匀、无残留 | AM12 | 稳定雾化，适配光刻胶环境 | 表面金属离子＜1E10 atoms/cm² |
| 刻蚀后清洗 | 中流量、覆盖广、高效 | AM25/AM45 | 宽角覆盖，快速去除残留物 | 刻蚀残留物去除率≥98% |
| 3D 结构清洗 | 超细雾化、无1死角 | AM6/AM12 | 液滴渗透高深宽比结构 | 解决阴影效应，结构无损伤 |
| 批量量产清洗 | 平衡精度与产能 | AM12/AM25 | 流量适配量产线，稳定运行 | 良率提升 5%–8%，停机率降低 40% |
SUS316L（标准）：适配常规去离子水、中性清洗液，高洁净、无金属析出，性价比最1高；
PTFE/PEEK（耐腐）：适配强酸（HF、HCl）、强碱（NaOH）、有机溶剂（IPA、丙酮），无腐蚀、无颗粒污染；
99.6% 氧化铝陶瓷（超高洁净）：适配超纯水、半导体级清洗剂，零金属析出、耐磨损，适合 10nm 及以下先1进制程；
哈氏合金 C-276（强腐蚀）：适配强酸性、强氧化性清洗液，如 SC1/SC2、等离子体清洗后处理。
推荐工作压力：2–6 bar（低压适配，无需高压泵，降低能耗）；
流量设置：根据晶圆尺寸、清洗面积、产能需求，匹配对应型号流量，避免流量不足或过量；
流量控制：AM 系列流量误差＜±5%，精准匹配清洗工艺要求。
喷雾角度：**30°–90°** 可调，根据晶圆尺寸、清洗区域选择；
安装距离：50–150mm（喷嘴到晶圆表面），确保雾化均匀、无飞溅；
安装方式：垂直 / 倾斜安装，适配晶圆旋转、喷淋式清洗机。
粘度要求：≤50cP（AM 系列适配低粘度介质，如去离子水、IPA、光刻胶）；
温度范围：0–80℃（常规），可定制耐高温材质（≤120℃）。
