纯度:Al₂O₃≥99.5%,杂质总量≤0.5%(Na₂O≤0.2%、SiO₂≤0.2%、Fe₂O₃≤0.05%)
密度:3.80 g/cm³,莫氏硬度 9 级,磨耗率≤0.01%/24h
粒径范围:0.2–20mm,适配预磨、中磨、精磨全工段
核心优势:高纯度 + 高性价比,金属溶出率 0.1–1ppm,兼顾洁净度与成本
纯度:Al₂O₃≥99.9%,杂质总量≤0.1%(金属杂质<1ppm,Fe、Na、Si 均<0.5ppm)
密度:3.90 g/cm³,致密度接近理论值,内部孔隙率<0.5%
粒径范围:0.5–1mm 微珠,适配纳米砂磨机,专注 D50≤0.1μm 超细研磨
核心优势:半导体级0污染,磨耗率≤0.005%/24h,批次稳定性提升 40%
痛点:介电粉体(钛酸钡)需低杂质、粒径均匀(D50=0.5–1μm),Na⁺、Fe³⁺会导致介电损耗升高、绝缘电阻下降
选型:AL9 φ1–3mm,湿法研磨,CV 值<5%
效果:粉体纯度≥99.9%,介电损耗 tanδ<0.0005,良率提升 6%,成本较 AHP 降低 30%
痛点:电阻值对杂质极敏感,微量金属离子会导致温漂超差(>±5%)
选型:AL9 φ2–5mm,行星磨湿磨
效果:粉体杂质<0.3%,电阻误差控制在 ±2% 内,烧结致密度提升 10%
痛点:基板需高绝缘、低介电损耗、表面致密,杂质会降低抗弯强度(<300MPa)
选型:AL9 φ10–20mm,干磨 / 湿磨均可
效果:基板弯曲强度≥350MPa,介电常数稳定在 9.5–10.2,适配 5G 通用基板
痛点:介质层厚度≤2μm,对碱金属离子(Na⁺)零容忍,离子迁移会导致短路、击穿
选型:AHP φ0.5–0.8mm,纳米砂磨机,D50≤0.1μm
效果:金属杂质析出<0.5ppm,介质层厚度波动控制在 ±0.05μm,良率提升 12%
痛点:微量 Fe³⁺会导致荧光猝灭、色温漂移,降低发光效率
选型:AHP φ0.5–1mm,超细研磨
效果:粉体白度提升 3%,发光效率提升 8%,批次色差 ΔE<0.8
痛点:金属杂质(Fe、Cu)会刺破隔膜,引发自放电、热失控
选型:AHP φ0.8–1.5mm,湿法超细研磨
效果:杂质含量<1ppm,电池循环寿命提升 20%,自放电率降至<2%/ 月
适用场景:99% 氧化铝陶瓷、氧化锆增韧陶瓷、陶瓷密封件、刀具坯料
核心价值:
杂质控制:避免晶界杂质偏析,抗弯强度≥400MPa
研磨效率:粒径 0.2–20mm 全覆盖,适配球磨 / 搅拌磨,D50=0.1–10μm
成本平衡:较 AHP 性价比高,适合规模化量产
适用场景:半导体陶瓷(压敏 / 压电)、透明氧化铝陶瓷、生物陶瓷、陶瓷基复合材料
核心价值:
极1致纯净:杂质总量<0.1%,保障压电常数、介电常数稳定,无性能漂移
超细研磨:0.5–1mm 微珠,适配纳米级粉体(D50≤0.1μm),烧结晶粒均匀(≤2μm)
极1端工况:耐酸碱、耐高温(1200℃),适配半导体扩散炉、医疗植入件等高要求场景
| 应用场景 | 纯度要求 | 推荐型号 | 推荐粒径 | 核心考量 |
|---|---|---|---|---|
| 通用 MLCC、热敏电阻、99% 基板 | 中高(杂质<0.5%) | AL9(99.5%) | 1–5mm | 性价比 + 低污染 |
| 汽车级 MLCC、LED 荧光粉、锂电正极 | 超高(杂质<1ppm) | AHP(99.9%) | 0.5–1mm | 0污染 + 超细粒径 |
| 结构陶瓷、密封件、刀具坯料 | 高(杂质<0.5%) | AL9(99.5%) | 5–20mm | 效率 + 成本 |
| 压电陶瓷、透明陶瓷、半导体元件 | 超高(杂质<1ppm) | AHP(99.9%) | 0.5–1mm | 性能稳定 + 长寿命 |
原厂品质保障:日本 HIRA 原厂生产,JIS 标准管控,每批次附质检报告,杂质、粒径、磨耗全追溯
性能壁垒:AL9 兼顾纯度与成本,AHP 达半导体级0污染标准,均通过村田、京瓷、宁德时代等头部企业认证
全规格现货:AL9(0.2–20mm)、AHP(0.5–1mm)常备库存,支持试样与批量快速交付
降本增效:低磨耗(AL9≤0.01%、AHP≤0.005%)、长寿命、高研磨效率,综合成本较普通高纯球降低 40%+